Samsung Electronics dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ tiếp theo vào cuối năm sau

Samsung Electronics dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ tiếp theo vào cuối năm sau Theo báo cáo từ truyền thông Hàn Quốc ZDNET, kế hoạch sản xuất hàng loạt DRAM thế hệ tiếp theo của Samsung Electronics đang dần trở nên rõ ràng. Hiện tại, Samsung Electronics đang hợp tác với nhiều đối tác để phát triển thiết bị sản xuất cho DRAM 10 nanomet thế hệ thứ bảy (1d), với mục tiêu sớm nhất là đưa thiết bị liên quan vào quý II năm sau, và bắt đầu sản xuất hàng loạt vào cuối năm sau. DRAM 1d là sản phẩm DRAM có độ rộng đường dây khoảng 10 đến 11 nanomet (nm). Sản phẩm thế hệ mới nhất đã được thương mại hóa - DRAM 10 nanomet thế hệ thứ sáu (1c) - có độ rộng đường dây khoảng 11 đến 12 nanomet. Khi độ rộng đường dây tiếp tục thu hẹp, hiệu suất và hiệu quả năng lượng của DRAM cũng sẽ được cải thiện.