Công nghệ bán dẫn hợp chất thế hệ thứ ba sẽ tiếp tục hưởng lợi từ việc nâng cấp hệ thống điện trung tâm dữ liệu

Công nghệ bán dẫn hợp chất thế hệ thứ ba sẽ tiếp tục hưởng lợi từ việc nâng cấp hệ thống điện trung tâm dữ liệu Ngày 30 tháng 6, một báo cáo chỉ ra rằng, sau khi sức mạnh AI chuyển sang mật độ cao, tải liên tục và cú sốc tức thời mạnh, kiến trúc điện áp cao là hướng phát triển xác định của hệ thống cung cấp điện trung tâm dữ liệu. Dưới sự thúc đẩy của tiến bộ công nghệ phần cứng, năm 2026 sẽ là năm đầu tiên triển khai kiến trúc điện áp cao cho trung tâm dữ liệu. Báo cáo cho rằng, các thiết bị bán dẫn hợp chất thế hệ thứ ba như SiC/GaN sẽ tiếp tục hưởng lợi từ việc nâng cấp hệ thống điện trung tâm dữ liệu, SiC có khả năng dẫn đầu trong ứng dụng bên phòng máy (khu vực xám), trong khi GaN có khả năng thâm nhập quy mô lớn trong tủ rack (khu vực trắng), tạo ra cấu trúc thị trường với ranh giới giữa khu vực xám và trắng là "SiC bên trái, GaN bên phải", cùng hưởng lợi từ việc lặp lại các giải pháp nguồn điện trung tâm dữ liệu.