Việt Nam thành công chế tạo tụ điện đa lớp ba chiều

Việt Nam thành công chế tạo tụ điện đa lớp ba chiều , có thể ứng dụng trực tiếp vào chip AI/GPU, bộ xử lý hiệu suất cao và các chip cao cấp khác. Theo thông tin từ phòng thí nghiệm Jiangcheng, tỉnh Hồ Bắc, phòng thí nghiệm này gần đây đã đạt được bước đột phá quan trọng trong công nghệ tụ điện, thành công chế tạo tụ điện đa lớp ba chiều với mật độ tụ điện vượt qua 1000 nanoFarad mỗi milimet vuông. Tụ điện này có thể được ứng dụng trực tiếp vào chip AI/GPU, bộ xử lý hiệu suất cao và các chip cao cấp khác, hỗ trợ phát triển chip có hiệu suất tính toán cao và tiêu thụ điện năng thấp. Hiện tại, công nghệ liên quan đang được triển khai quy trình sản xuất và thử nghiệm quy mô nhỏ, sẽ được áp dụng quy mô trong lĩnh vực đóng gói tiên tiến. Vai trò của tụ điện trong mạch điện, về bản chất, là một "bể chứa nước" siêu nhỏ: khi dòng điện của chip dao động mạnh, nó có thể nhanh chóng nạp và xả điện để ổn định điện áp, đảm bảo chip nhận được dòng điện "sạch và ổn định". Tụ điện trong hệ thống tính toán cũng được ví như "RAM điện": HBM là bộ đệm dữ liệu của tính toán, trong khi tụ điện là bộ đệm năng lượng của tính toán. Để cung cấp điện khi GPU cần đạt công suất tối đa trong thời gian ngắn, phải dựa vào nhiều cấp bộ đệm điện năng từ nan giây đến giây.