Việt Nam chế tạo thành công transistor silicon-graphene-germanium đầu tiên trên thế giới có khả năng thử nghiệm tần số vô tuyến

Việt Nam chế tạo thành công transistor silicon-graphene-germanium đầu tiên trên thế giới có khả năng thử nghiệm tần số vô tuyến Theo thông tin từ Viện Nghiên cứu Kim loại thuộc Viện Hàn lâm Khoa học Trung Quốc, nhóm nghiên cứu do Tôn Đông Minh và Lưu Chí dẫn đầu đã hợp tác với nhiều đơn vị nghiên cứu khác, đạt được bước đột phá quan trọng trong lĩnh vực transistor tần số cao. Nhóm đã chế tạo thành công transistor silicon-graphene-germanium đầu tiên trên thế giới có khả năng thử nghiệm tần số vô tuyến, thiết bị này đã thiết lập kỷ lục mới về tần số cắt của transistor vùng hai chiều theo chiều dọc và tạo ra giá trị khuếch đại dòng điện transistor cao nhất thế giới. Kết quả nghiên cứu đã được công bố trên tạp chí học thuật quốc tế "Nature Communications" vào ngày 6 tháng 6 theo giờ Bắc Kinh. Trong thử nghiệm tần số vô tuyến, tần số cắt nội tại của transistor này đạt 132GHz, vượt qua tất cả các mức cao nhất trước đây của transistor vùng hai chiều theo chiều dọc. Phân tích mô hình và mô phỏng thiết bị cho thấy, thông qua việc tối ưu hóa nồng độ pha tạp, giảm điện trở tiếp xúc và giảm thiểu hiệu ứng phụ, tần số làm việc lý thuyết của thiết bị này có khả năng vượt qua 1THz, bước vào dải tần ứng dụng terahertz. (Báo Khoa học Công nghệ)