SK Hynix sẽ sản xuất hàng loạt NAND 375 lớp trước cuối năm

SK Hynix sẽ sản xuất hàng loạt NAND 375 lớp trước cuối năm Theo báo cáo từ phương tiện truyền thông công nghệ Hàn Quốc "THEELEC", SK Hynix đã hoàn thành xác nhận sản xuất bộ nhớ flash 3D NAND 375 lớp thuộc dòng V10 thế hệ tiếp theo, đang tiến hành chuyển đổi dây chuyền sản xuất, mục tiêu đến năm 2026 sẽ thực hiện sản xuất hàng loạt quy mô lớn thông qua việc nâng cấp nhà máy hiện có, thách thức vị trí dẫn đầu của Samsung Electronics trong công nghệ xếp chồng siêu cao. Điểm nổi bật lớn nhất của lần cải tiến công nghệ này là sự đổi mới trong vật liệu của lớp dây kim loại, sẽ thay thế một phần dây chữ từ tungsten truyền thống sang molybdenum. Khi 3D NAND tiến tới hơn 600 lớp, vật liệu molybdenum có khả năng trở thành yếu tố then chốt trong kỷ nguyên xếp chồng siêu cao.