Samsung xác nhận HBM5 sẽ sử dụng quy trình GAA 2nm, tốc độ tăng hơn 50% so với HBM4E

Samsung xác nhận HBM5 sẽ sử dụng quy trình GAA 2nm, tốc độ tăng hơn 50% so với HBM4E Vào ngày 27 tháng 7, Giám đốc phòng phát triển công nghệ của bộ phận bán dẫn Samsung, ông Kyu Ji-hyun, cho biết tốc độ hoạt động của bộ nhớ HBM5 thế hệ tiếp theo dự kiến sẽ nhanh hơn HBM4E hơn 50%. "Chip cơ bản của HBM5 sẽ sử dụng quy trình 2nm với cấu trúc GAA và đạt được độ tích hợp cao hơn với lỗ xuyên silicon (TSV)." Ông Kyu Ji-hyun cho biết, Samsung sẽ dựa trên kinh nghiệm và năng lực công nghệ có được từ chip cơ bản HBM4 4nm để sớm áp dụng quy trình 2nm vào HBM5, đồng thời mở rộng hợp tác với khách hàng trong các lĩnh vực di động, HBM, AI, HPC, điện tử ô tô, robot, v.v., nhằm dẫn dắt sự phát triển mạnh mẽ hơn của hệ sinh thái bán dẫn.