TSMC và các đối tác phát triển transistor đỉnh cổng MoS2 đơn lớp

TSMC và các đối tác phát triển transistor đỉnh cổng MoS2 đơn lớp Ngày 7 tháng 8, TSMC đã đạt được bước đột phá trong lĩnh vực công nghệ thế hệ tiếp theo, khi hợp tác với đội ngũ từ Đại học Yang Ming Jiaotong để phát triển thành công transistor đỉnh cổng hiệu suất cao sử dụng bột MoS2 đơn lớp, giúp vượt qua giới hạn của định luật Moore. Kết quả liên quan đã được công bố trên tạp chí Nature Electronics.